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  ICP-OES 通過高頻裝置使氬氣電離，形成溫度可達10000k的等離子焰炬。激發產生不同的發射光譜，并依照此原理進行痕量元素的定量測定。該設備具有獨特的智能光譜組合 (DSC) 技術，能夠實現同步的水平和垂直測量。能夠以少的氬氣用量分析最具挑戰性的樣品，檢測速度快、效率高，并且不會對分析性能造成任何影響。ICP-OES可分析78種元素，精密度高、相對標準偏差小、定量范圍寬，檢測精度可從ppb級別到百分比級別。由于等離子體溫度極高，因此化學干擾少。適合用于食品、環境、金屬中的痕量元素和部分非金屬元素的分析。同時也可測試基體中含有有機溶劑的樣品或者直接測試油品等有機樣品。

  直讀光譜儀適用于鋼鐵、鋁、鎂、銅、鋅、錫、鈦等各種固體金屬的基體金屬、合金中的組成元素、雜質微量元素的定量。應用于這些金屬的冶煉工業和機械加工工業的工程管理分析、原材料驗收以及產品出廠鑒定分析等。該設備的特點在于：1、可多元素同時檢測；2、分析速度快；3、準確度高；4、設備的波長范圍是130nm~500nm，對各種金屬雜質的檢測限度可達10ppm。

  液體顆粒計數器（LPC）是微粒計數領域質量控制和研究應用中的佼佼者。當液體中的微粒通過窄小的檢測區時，由于被不溶性微粒阻擋從而使傳感器輸出信號發生變化。依照此原理，LPC可以準確檢測出待檢樣品中微粒數量。檢測精準，流速可控，可以處理全范圍的樣品體積，從1毫升到大于1000毫升均能實現精準測量；檢測范圍廣，通過可互換的傳感器，實現從0.5μm到600μm的顆粒粒徑業界最小的樣本檢測；同時LPC操作簡單，取樣方便，廣泛應用于醫藥級科研測試以及金屬中不溶物的檢測領域當中。

  在半導體領域中，磁控濺射鍍膜工藝對靶材所含的氣體和夾雜異常敏感，因為氣體和夾雜會導致等離子體異常放電和顯微顆粒的噴射，破壞和降低濺射薄膜質量，導致薄膜缺陷增加，控制濺射靶材中氣體和夾渣對控制濺射薄膜質量有巨大影響。本公司擁有美國LECO公司的最新型號的三臺氣體分析儀，分別為CS844，ON836，RHEN602，可以用于高純金屬材料當中氣體元素的檢測。三臺分析儀的優點是1.分析速度快2.準確性高 3.氣體元素含量檢測限低，CSON元素能達到1ppm，H含量能達到0.1ppm級別 4.具有較高的自動化配置，自動清掃裝置，外加分析界面的觸摸屏和靈活適用的軟件，對返工樣品可插入操作，不需要重新輸入試樣標識等。

   掃描電鏡主要是利用二次電子信號成像來觀察金屬或非金屬材料的表面形態。該儀器對樣品尺寸及形狀沒有限制，可直接觀察大試樣的原始表面，粗糙表面也能觀察，免除了制備樣品的麻煩，而且能真實觀察試樣本身物質成分不同的襯度。景深較大，可用于觀察材料斷口，所得圖像富有立體感，可獲取更多的細節信息。樣品室的空間較大，試樣可在三度空間內有6個自由度（即三度空間平移、三度空間旋轉）活動。

  OxfordEDX是根據入射電子使內層電子激發，產生特征X射線來定性分析元素種類及含量。該技術的特點是：1.快速，"初步"成分分析；2.多功能、便宜，廣泛適用；3.進行某些樣品的定量分析（平坦、拋光和均勻）；

  Oxford EBSD主要特點是在保留掃描電子顯微鏡的常規特點的同時進行空間分辨率亞微米級的衍射。在掃描電子顯微鏡（SEM）中，入射于樣品上的電子束與樣品作用，在每一個晶體或晶粒內規則排列的晶格面上產生衍射。從所有原子面上產生的衍射組成"衍射花樣"可用于EBSD相鑒定。通過EBSD技術，檢測材料的晶粒取向、取向差、晶界屬性分析、借助層切技術的3D組織重構、晶粒內部取向梯度等,以及與菊池花樣相關的拓展應用,如缺陷密度評價、物相分析等。

江豐電子分析檢測中心獲得CNAS認可

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